Оксидно-полупроводниковые танталовые

Оксидно-полупроводниковые танталовые

По сравнению с электролитическими, оксидно-полупроводниковые конденсаторы имеют заметно меньшее изменение электропараметров при хранении и требуют небольшого времени тренировки. Кроме этого, они допускают работу при напряжениях значительно ниже номинального значения, а это позволяет увеличивать их срок минимальной наработки.

Основные элементы танталового оксидно-полупроводникового конденсатора.

  • объёмно-пористый анод, изготовленный из танталового порошка;
  • пятиокись тантала, сформованная на поверхности анода электрохимическим способом, она служит диэлектриком;
  • двуокись марганца, твёрдый полупроводник, полученный методом электрохимического разложения нитрата марганца, служит катодом.

На двуокись марганца наносятся слои углерода, серебряной пасты. Они необходимы для обеспечения заданных значений tg и Z за счёт создания омических контактов между анодом, катодом и технологическими выводами конденсатора.

Отличительные особенности танталовых оксидно-полупроводниковых конденсаторов.

Применяются в продукции специального назначения, бортовой и наземной аппаратуре связи, приборах, работающих в жёстких климатических условиях и при повышенных механических нагрузках.

Диапазон рабочих температур от -60 °С до +85 °С и от -60 °С до +125 °С.

Оксидно-полупроводниковые конденсаторы, по отношению к другим типам конденсаторов с оксидным диэлектриком, обладают высокой величиной наработки.

Для увеличения срока минимальной наработки рекомендуется конденсаторы этой серии отделять от источников питания сопротивлением не менее 3 Ом на 1 вольт рабочего напряжения.

Изделия К53-1А. Герметичные конденсаторы, отличающиеся высокой надёжностью.

Изделия К53-7. Герметичные неполярные оксидно-полупроводниковые конденсаторы.

Изделия К53-65 (чип). Конденсаторы в пластмассовом корпусе, опрессованного исполнения. Имеет защищённую конструкцию, низкое полное сопротивление, малые токи утечки. Изделия предназначены для использования в электронной аппаратуре специального и гражданского назначения, которая критична к массо-габаритным показателям.

Изделия К53-66. Танталовые оксидно-полупроводниковые конденсаторы в герметичном цилиндрическом стальном корпусе. Благодаря использованию высокоёмких танталовых порошков, конденсаторы имеют меньшие, по сравнению с отечественными аналогами, габаритные размеры.

Изделия К53-68 (чип). Конденсаторы в пластмассовом корпусе опрессованного исполнения. Данные конденсаторы изготавливаются в двух исполнениях: стандартном и низкопрофильном. Высота корпуса конденсатора низкопрофильного исполнения не превышает 2.2 мм. Конденсаторы К53-68 имеют повышенную ударопрочность (40 000 g - для одиночных ударов), высокую стойкость к воздействию спецфакторов. Изделия могут применяться в различных видах спецтехники, а также продукции гражданского назначения.

Изделия К53-71 (чип). Оксидно-полупроводниковые полимерные танталовые конденсаторы для поверхностного монтажа. Значения эквивалентного последовательного сопротивления (ESR) конденсаторов в 9-10 раз ниже, чем у конденсаторов стандартных серий с применением катодного материала MgO2, и менее подвержены воспламенению и горению при выходе из строя.

Изделия К53-72 (чип). Танталовые конденсаторы с ультранизкими значениями ESR (эквивалентное последовательное сопротивление). По сравнению с аналогичными конденсаторами, ESR снижено до 35...95 мОм. В создании этих изделий использована мультианодная технология (соединение нескольких параллельных анодов). Конденсаторы имеют: расширенную шкалу емкостей от 22 мкФ до 1 500 мкФ; температурный диапазон от -60 °С до +125 °С; высокий допустимый ток пульсаций от 1.3 А до 2.2 А; стабильные температурные и частотные характеристики.

Изделия К53-74 (чип). Оксидно-полупроводниковые полимерныеомногосекционные танталовые конденсаторы для поверхностного монтажа. Разработаны на основе комбинации двух технологий - мультианодной и полимерной. Имеют сверхнизкие значения эквивалентного последовательного сопротивления (ESR). Менее подвержены воспламенению и горению при выходе из строя.